Componentes electrónicos
EV2A16AMNYU35
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Descripción de productos
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El EV2A16A es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva (MRAM) de 4194304-bits organizado como 262144 palabras de 16 bits.
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Características
El EV2A16AMNYU35, una solución MRAM flexible y de alta velocidad para sus necesidades de memoria. Con sus capacidades simétricas de lectura y escritura y su rápido tiempo de acceso, puede estar seguro de que sus datos se procesan de forma rápida y eficiente.
El EV2A16AMNYU35 ofrece control de bus de datos flexible, lo que permite acceso de 8 o 16 bits. Además, los tiempos iguales de acceso a direcciones y chips garantizan que los datos se accedan y procesen sin problemas.
Esta solución no sólo es rápida y eficiente, sino que también ofrece protección automática de datos para mayor seguridad. Y gracias a su funcionamiento totalmente estático, puedes estar seguro de que el
EV2A16AMNYU35 proporcionará un rendimiento de memoria confiable.
En resumen, el EV2A16AMNYU35 es una solución MRAM de primera línea que ofrece una solución de memoria confiable, flexible y de alta velocidad para todas sus necesidades de almacenamiento de datos.
Parámetros
| Método de embalaje | Voltaje de entrada | Temperatura operativa |
| TSOP-2 | {{0}}.5 a 4,0 V | -55 grado a 125 grados |
Dimensión
Documentos e información técnica
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