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AS4C32M16SB-7ESTAÑO

Componentes electrónicos

AS4C32M16SB-7ESTAÑO

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Información del producto

La SDRAM de 512 Mb es una DRAM síncrona CMOS de alta velocidad que contiene 512 Mbits. Está configurado internamente como 4 bancos de 8 M de palabra x 16 DRAM con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el flanco positivo de la señal de reloj, CLK).

Características

El chip de memoria AS4C32M16SB-7TIN SDRAM es un chip de memoria avanzado y de alto rendimiento diseñado para un acceso rápido y confiable a los datos. Este chip tiene un tiempo de acceso rápido desde el reloj, lo que garantiza que los datos se puedan leer y escribir de forma rápida y eficiente.

Una de las características clave de este chip de memoria es su rápida frecuencia de reloj de 166/143 MHz, que le permite funcionar a alta velocidad. Su funcionamiento totalmente sincrónico garantiza que los datos se transfieran entre el chip de memoria y el procesador de una manera muy eficiente y confiable.

 

La arquitectura interna canalizada del chip de memoria AS4C32M16SB-7TIN le permite transferir datos a una velocidad mucho mayor que otros chips de memoria. Además, este chip tiene registros de modo programables que se pueden ajustar para cumplir con los requisitos específicos del usuario.

 

Además, el chip tiene funciones de actualización automática y actualización automática, que garantizan que los datos se mantengan seguros y protegidos. El modo de apagado CKE es otra característica que ayuda a reducir el consumo de energía.

 

En general, el chip de memoria AS4C32M16SB-7TIN SDRAM es un chip avanzado y de alto rendimiento que ofrece tiempo de acceso rápido, velocidad de reloj rápida, funcionamiento completamente sincrónico, arquitectura canalizada interna, registros de modo programables, actualización automática, actualización automática, y modo de apagado CKE. Este chip es ideal para aplicaciones que requieren chips de memoria altamente confiables y eficientes.

 

Parámetros

 

Método de embalaje Voltaje de entrada Temperatura operativa
TSOP-54 3.3V -40 grados ~ 85 grados

 

Solicitud

 

ancho de banda de memoria y muy adecuado para PC

 

Foto positiva

 

product-800-800

 

Configuración de pines

 

product-236-384

 

 

Documentos e información técnica

http://es.misuxin-en.com/memory/ddr-sdram/as4c32m16sb-7tin.html

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