K4B4G1646E-MABA

El chip electrónico SDRAM DDR3 de 4 Gb está organizado como un dispositivo de 32 Mbit x 16 E/S x 8 bancos. Este dispositivo síncrono logra velocidades de transferencia de datos de doble velocidad de alta velocidad de hasta 1866 Mb/seg/pin (DDR3-1866) para aplicaciones generales. El chip está diseñado para cumplir con las siguientes características clave de DDR3 SDRAM, como CAS publicado, CWL programable, (auto)calibración interna, terminación en matriz mediante pin ODT y reinicio asíncrono. Todas las entradas de control y dirección están sincronizadas con un par de relojes diferenciales suministrados externamente. Las entradas se bloquean en el punto de cruce de los relojes diferenciales (CK subiendo y CK bajando). Todas las E/S están sincronizadas con un par de luces estroboscópicas bidireccionales (DQS y DQS) de forma sincronizada con la fuente. El bus de direcciones se utiliza para transmitir información de direcciones de filas, columnas y bancos en un estilo de multiplexación RAS/CAS. El dispositivo DDR3 funciona con una única fuente de alimentación de 1,35 V (1,28 V ~ 1,45 V) o 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V) y VDDQ de 1,35 V (1,28 V ~ 1,45 V) o 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V).