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MT41K256M16HA-125_E

Componentes electrónicos

MT41K256M16HA-125_E

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Información del producto

DDR3L SDRAM (1,35 V) es una versión de bajo voltaje de la SDRAM DDR3 (1,5 V). Consulte las especificaciones de la hoja de datos de SDRAM DDR3 (1,5 V) cuando se ejecuta en modo compatible con 1,5 V.

 

Características

Es un excelente chip de memoria: MT41K256M16HA-125_ E. Adopta tecnología estroboscópica de datos bidireccional diferencial, que puede reducir eficazmente las interferencias y los errores durante la transmisión de datos, y tiene buena confiabilidad y estabilidad. Además, el chip también adopta un 8n Arquitectura de captación previa de bits, que puede recuperar simultáneamente una gran cantidad de datos de la memoria, lo que mejora en gran medida la velocidad de respuesta del sistema y reduce significativamente la latencia de acceso a la memoria y el tiempo de carga.


Para mejorar aún más la estabilidad y confiabilidad del chip, MT41K256M16HA-125_ E también está equipado con tecnología de terminación nominal y dinámica en el troquel, que puede adaptar automáticamente la impedancia de la señal durante el acceso a la memoria, reduciendo efectivamente el reflejo de la señal y la interferencia electromagnética. garantizar la integridad y precisión de la transmisión de datos.


Además, el chip también puede cambiar el tiempo de acceso a través de la tecnología de latencia aditiva CAS programable publicada para lograr un mayor rendimiento y una menor latencia. Al mismo tiempo, también admite múltiples modos, como actualización automática y actualización automática, que se pueden cambiar de manera flexible según las necesidades, lo que garantiza un funcionamiento estable del sistema en diversos escenarios de trabajo.


Finalmente, MT41K256M16HA-125_ E también tiene ricos registros multifuncionales que pueden ajustar la arquitectura de la memoria y el rendimiento según sea necesario, reduciendo el riesgo de errores del sistema y mejorando la estabilidad y confiabilidad de todo el sistema. En resumen, MT41K256M16HA{{8 }} E es un chip de memoria de alto rendimiento, estable y confiable con alto valor de uso y competitividad en el mercado, que es muy adecuado para diversas aplicaciones de procesamiento de datos, almacenamiento y computación de alto rendimiento.

 

Parámetros

Método de embalaje

Voltaje de entrada

Temperatura operativa

FBGA 1,283 V a 1,45 V 0 grados a 95 grados

 

Solicitud

Sistemas integrados y productos electrónicos.

 

Foto positiva

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Diagrama de bloques funcional

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Documentos e información técnica

http://es.misuxin-en.com/memory/ddr-sdram/mt41k256m16ha-125_e.html

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