Componentes electrónicos
FDS4435BZ
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Características
El FDS4435BZ es un MOSFET de canal P de alto rendimiento con una gama de características impresionantes. Una de las características destacadas de este MOSFET es su nivel de protección HBM ESD, que garantiza que esté bien protegido contra descargas electrostáticas.
Además, el FDS4435BZ utiliza tecnología de zanjas de alto rendimiento, lo que le permite ofrecer un rendimiento excelente en una variedad de aplicaciones. Es capaz de manejar altos niveles de potencia y corriente, lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones exigentes.
Otra característica importante del FDS4435BZ es su terminación, que no contiene plomo y cumple con RoHS. Esto significa que es respetuoso con el medio ambiente y seguro de usar en una variedad de aplicaciones.
En general, el FDS4435BZ es una excelente opción para quienes buscan un MOSFET de canal P de alto rendimiento que pueda manejar grandes niveles de potencia y corriente. Su gama de características impresionantes, incluida la protección ESD de HBM y la tecnología de zanjas de alto rendimiento, lo convierten en una opción ideal para una amplia gama de aplicaciones.
Parámetros
| Método de embalaje | Voltaje de entrada | Temperatura operativa |
| SOIC-8 | 1,5 V a 6,5 V | -55 grados ~ 150 grados |
Solicitud
Gestión de energía
Foto positiva
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Documentos e información técnica
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