Componentes electrónicos
H9HCNNNBKUMLXR-NEE
Indique la cantidad, la fecha requerida y los requisitos de documentación. La disponibilidad y las condiciones de suministro se confirman durante la cotización.
Solicitar este componente ↗El SK hynix H9HCNNNBKUMLXR-NEE es un dispositivo de memoria uMCP integrado (UFS + LPDDR4X MCP) que combina almacenamiento flash UFS de alto-rendimiento con DRAM LPDDR4X de bajo-consumo en un único paquete BGA compacto. Está diseñado para teléfonos inteligentes, tabletas, módulos AIoT, dispositivos portátiles y plataformas integradas que requieren un gran ancho de banda y un consumo de energía eficiente.
Información del producto
RAM LPDDR4X
Memoria de alto ancho de banda optimizada para SoC móviles
Velocidades de datos hasta4266Mbps
E/S de bajo-voltaje para mejorar la eficiencia energética
Admite modos de apagado-profundo (DSM, PASR)
Flash NAND UFS
Interfaz UFS de alta-velocidad que admite lectura/escritura secuencial
E/S aleatoria mejorada frente a eMMC
Admite funciones avanzadas:
Cola de comandos
Cambio de marcha de alta-velocidad
Modos de bajo-consumo
La nivelación-de ECC y desgaste-garantiza una larga vida útil
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