Solicitar cotizaciónRFQ
K4B4G1646E-BMMA

Componentes electrónicos

K4B4G1646E-BMMA

Indique la cantidad, la fecha requerida y los requisitos de documentación. La disponibilidad y las condiciones de suministro se confirman durante la cotización.

Solicitar este componente ↗

Enviar una BOM completa →

El Samsung K4B4G1646E-BMMA es un dispositivo SDRAM DDR3 de 4 Gb optimizado para aplicaciones de memoria de alta-velocidad y bajo-consumo. Proporciona un ancho de datos x16 y se usa ampliamente en electrónica de consumo, dispositivos industriales, equipos de redes y aplicaciones integradas.

Información del producto

20251205113021148115

Características clave

Densidad de la memoria:4Gb (Gigabit)

Organización:256M × 16 bits

Tipo DDR:SDRAM DDR3

Grado de velocidad:

BMMA corresponde aDDR3-1600 (1600Mbps)

Paquete:FBGA

En-Terminación del troquel (ODT)

Bajo consumo de energía

8 bancos internos

Latencia CAS programable(CL 9–11 dependiendo de la operación)

 

 

http://es.misuxin-en.com/other-electronic-components/k4b4g1646e-bmma.html

Prepare su consulta

Incluya el número de pieza completo, la cantidad, la fecha requerida y los requisitos de embalaje o documentación. Para varias partidas, adjunte su BOM.

Guía de preparación de BOM →
Solicitar este componente ↗