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MOSFET G3R160MT17J
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Descripción de productos
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El G3R160MT17J es un MOSFET semiconductor SiCFET de canal N original de 1700 V y 160 Ω. |
Características
El G3R160MT17J es un MOSFET de SiC de última generación con una tensión nominal máxima de 1700 V y una baja resistencia en estado encendido de 160 mOhm. Su avanzada tecnología G3RTM permite una unidad de puerta +15V, lo que da como resultado un rendimiento de conmutación excelente y pérdidas de conmutación reducidas.
Este dispositivo cuenta con una capacitancia baja (Coss, CRss) que mejora enormemente la eficiencia en aplicaciones de alta frecuencia. Además, ofrece un índice superior de costo-rendimiento, lo que significa que ofrece un valor excepcional por su precio.
El G3R160MT17J incluye un diodo de cuerpo robusto que presenta un voltaje de recuperación inverso (Ve) bajo y una carga de recuperación inversa (QR) baja. Esto garantiza la confiabilidad en aplicaciones exigentes y permite bajas pérdidas de conmutación.
Para optimizar aún más el rendimiento del G3R160MT17J, se ha empaquetado con un pin fuente de controlador independiente. Esto permite una fácil integración en varios sistemas y garantiza un control preciso y eficiente.
Parámetros
| Método de embalaje | Voltaje de fuente de fuga | Temperatura operativa |
| A-263-7 | 1700 V | -55 grado a 175 grados |
Configuración de pines
Documentos e información técnica
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