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MOSFET NVBG160N120SC1
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Descripción de productos
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El NVBG160N120SC1 es un Mosfet de canal N único SICFET N-CH de 1,2 kV y 19,5 A. |
Características
El NVBG160N120SC1 es un Mosfet de canal N único altamente eficiente y confiable con tecnología avanzada que lo hace ideal para su uso en aplicaciones de cargadores a bordo de automóviles. Este transistor de potencia está diseñado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, con una tensión nominal máxima de 1,2 kV.
Una de las características más impresionantes de este Mosfet es su carga de puerta ultrabaja. Esto significa que puede encenderse y apagarse rápidamente, lo que se traduce en una mejora de la eficiencia del sistema y un menor consumo de energía. Además, su baja capacitancia de salida efectiva conduce a un mayor rendimiento térmico y una estabilidad mejorada, lo que garantiza que su sistema funcione sin problemas y de manera confiable.
El NVBG160N120SC1 también está 100% probado contra avalanchas, lo que significa que es totalmente capaz de manejar transitorios de alta energía sin fallas. Esto garantiza que su sistema pueda soportar condiciones difíciles sin sufrir daños ni degradación del rendimiento.
Parámetros
| Método de embalaje | Voltaje de fuente de fuga | Temperatura operativa |
| A-263-7 | 1,2kV | -55 grado a 175 grados |
Configuración de pines
Documentos e información técnica
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