Componentes electrónicos
IRF540NPBF
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●Tecnología de proceso avanzada
●Resistencia de encendido ultra baja
●Clasificación dinámica dv / dt
●Temperatura de funcionamiento de 175 °C
●Conmutación rápida
●Totalmente clasificado como Avalancha
●Sin plomo
Descripción
Los MOSFET avanzados HEXFET® Power de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño de dispositivos robustos por los que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia a aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
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