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IRF9540NPBF

Componentes electrónicos

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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño de dispositivo reforzado por el que son bien conocidos los HEXFET PowerMOSFET, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Información del producto

IRF9540NPBF1

IRF9540NPBF2

20230628135826

20230628135828

Documentos e información técnica

http://es.misuxin-en.com/transistor/field-effect-transistor/irf9540npbf.html

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