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IRFU9024NPBF

Componentes electrónicos

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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr este beneficio de resistencia extremadamente baja por silicona, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente por el que los HEXFET Power MOSFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Información del producto

IRFU9024NPBF

20230714103928

Documentos e información técnica

http://es.misuxin-en.com/transistor/field-effect-transistor/irfu9024npbf.html

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