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SI2301CDS-T1-GE3

Componentes electrónicos

SI2301CDS-T1-GE3

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CARACTERÍSTICAS • Libre de halógenos Según la definición 61249-2-21 de IEC • MOSFET de potencia TrenchFET® • Cumple con la directiva RoHS 2002/95/EC

Información del producto

SI2301CDS-T1-GE3

20230724142348

Documentos e información técnica

http://es.misuxin-en.com/transistor/field-effect-transistor/si2301cds-t1-ge3.html

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