Componentes electrónicos
MMBT3904
Indique la cantidad, la fecha requerida y los requisitos de documentación. La disponibilidad y las condiciones de suministro se confirman durante la cotización.
Solicitar este componente ↗Silicio epitaxial NPN, diseño plano.
Tensión de colector-emisor VCE=40V.
Colector de corriente IC=0.2A.
Transition frequency fT>300MHz @ IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz.
Conforme a las directivas ER RoHS 2002/95/EC.
Información del producto
CARACTERISTICAS
●NPN epitaxial silicon, planar design.
●Collector-emitter voltage VCE=40V.
●Collector current IC=0.2A.
●Transition frequency fT>300MHz @ IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz.
●In compliance with ER RoHS 2002/95/EC directives.
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