Descripción de productos
|
El M29W160E es una memoria no volátil de 16 Mbit (2Mb x8 o 1Mb x16) que se puede leer, borrar y reprogramar.
|
Características
La M29W160EB70ZA6E es una memoria flash paralela no volátil de 16 Mbit 3 V confiable y de alto rendimiento que ofrece una producción y programación por lotes más rápidas para una experiencia de usuario perfecta. Con desprotección de bloqueo temporal y bajo consumo de energía, esta memoria está diseñada para satisfacer los requisitos más exigentes de múltiples aplicaciones.
Además, el M29W160EB70ZA6E ofrece 100000 ciclos de programación/borrado por bloque para una confiabilidad y durabilidad optimizadas. Esto lo convierte en una excelente opción para usar en una amplia gama de escenarios donde el rendimiento y la resistencia son primordiales.
En general, el M29W160EB70ZA6E ofrece un equilibrio óptimo entre confiabilidad, rendimiento y eficiencia energética, lo que lo convierte en la opción perfecta para diversas aplicaciones de alta tecnología. Es un producto en el que puedes confiar y sin duda superará tus expectativas.
Parámetros
| Método de embalaje | Voltaje de entrada | Temperatura operativa |
| 48-TFBGA | 48-TFBGA | -40 grados ~ 85 grados |
Solicitud
Hogares inteligentes o dispositivos electrónicos, etc.
Dimensión
Etiqueta: m29w160eb70za6e, proveedores y fabricantes de China m29w160eb70za6e
