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M29W160EB70ZA6E

Componentes electrónicos

M29W160EB70ZA6E

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Información del producto

Descripción de productos
El M29W160E es una memoria no volátil de 16 Mbit (2Mb x8 o 1Mb x16) que se puede leer, borrar y reprogramar.

 

Características
M29W160EB70ZA6E

La M29W160EB70ZA6E es una memoria flash paralela no volátil de 16 Mbit 3 V confiable y de alto rendimiento que ofrece una producción y programación por lotes más rápidas para una experiencia de usuario perfecta. Con desprotección de bloqueo temporal y bajo consumo de energía, esta memoria está diseñada para satisfacer los requisitos más exigentes de múltiples aplicaciones.

 

Además, el M29W160EB70ZA6E ofrece 100000 ciclos de programación/borrado por bloque para una confiabilidad y durabilidad optimizadas. Esto lo convierte en una excelente opción para usar en una amplia gama de escenarios donde el rendimiento y la resistencia son primordiales.

 

En general, el M29W160EB70ZA6E ofrece un equilibrio óptimo entre confiabilidad, rendimiento y eficiencia energética, lo que lo convierte en la opción perfecta para diversas aplicaciones de alta tecnología. Es un producto en el que puedes confiar y sin duda superará tus expectativas.

Producción más rápida/Programación por lotesProducción más rápida/Programación por lotes
DESPROTECCIÓN DE BLOQUE TEMPORAL
BAJO CONSUMO DE ENERGÍA
Parámetros

 

Método de embalaje Voltaje de entrada Temperatura operativa
48-TFBGA 48-TFBGA -40 grados ~ 85 grados

 

 

Solicitud

 

Hogares inteligentes o dispositivos electrónicos, etc.

 

 
Dimensión

 

product-274-332

 

 

Documentos e información técnica

http://es.misuxin-en.com/memory/nand-flash/m29w160eb70za6e.html

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