Descripción de productos
| El 2N7002ET1G es un MOSFET de pequeña señal del tipo transistor de efecto de campo de canal N, que presenta una resistencia de baja conductividad. |
Características
El 2N7002ET1G es un MOSFET de pequeña señal notable que mejora considerablemente el rendimiento de los circuitos electrónicos. Como transistor de efecto de campo de canal N, cuenta con una alta resistencia a la conductividad, lo que lo hace altamente eficiente para aplicaciones de conmutación y amplificación.
Una de las características destacadas de este MOSFET es su capacidad de conmutación de alta velocidad. Puede encenderse y apagarse en tan solo nanosegundos, lo que lo hace ideal para circuitos de alta velocidad.
A pesar de su sólido rendimiento, el 2N7002ET1G es un dispositivo compacto que puede caber perfectamente en espacios reducidos. Su reducido tamaño lo hace perfecto para su uso en pequeños dispositivos electrónicos.
Otra ventaja importante de este MOSFET es su baja resistencia a la conductividad. Esto lo convierte en un dispositivo eficiente que puede funcionar de manera constante incluso bajo carga.
En conclusión, el 2N7002ET1G es esencial para cualquier entusiasta de la electrónica que busque mejorar el rendimiento de sus circuitos.
Parámetros
| Método de embalaje | Voltaje de entrada | Temperatura operativa |
| TAN-23-3 | 60V | -55 grados ~ 150 grados |
Solicitud
Dimensión
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