Descripción de productos
| El MRFE6VP5300N es un MOSFET lateral en modo N--mejora de canal--con transistores LDMOS de potencia RF de banda ancha. |
Características
El transistor LDMOS de potencia RF MRFE6VP5300N es un modelo destacado en su clase, que cuenta con una robustez extrema y mejoras de estabilidad integradas que lo convierten en la mejor opción para aplicaciones de energía. Este dispositivo también presenta baja resistencia térmica y circuitos de protección ESD integrados, lo que lo convierte en una opción confiable y segura para una variedad de usos.
Lo que diferencia al MRFE6VP5300N de otros transistores del mercado es su diseño de vanguardia y sus funciones avanzadas que optimizan su rendimiento. Las mejoras de estabilidad integradas garantizan que este transistor brinde la potencia y la estabilidad que necesita, incluso en las aplicaciones más exigentes. Además, la baja resistencia térmica de este dispositivo significa que se mantiene frío bajo presión, evitando daños causados por el sobrecalentamiento.
El circuito de protección ESD integrado también es una característica crucial que convierte al MRFE6VP5300N en una opción confiable para aplicaciones de energía. Este circuito protege este transistor contra descargas electrostáticas, protegiéndolo de picos de voltaje repentinos e inesperados que podrían dañarlo.
En general, el transistor LDMOS de potencia RF MRFE6VP5300N es una excelente opción para quienes buscan un transistor potente y confiable para sus proyectos.
Parámetros
| Método de embalaje | Tensión de alimentación | Temperatura operativa |
| FM4F | 50 V | -40 grado a 175 grados |
Solicitud
Sistemas de comunicación inalámbrica o satélites de radar, etc.
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